尼得科nidec常温晶片接合装置BONDMEISTER

主流型号与核心规格（尼得科公开，精确值以 datasheet / 报价为准）

型号系列 晶圆尺寸 运行模式 对齐精度（实绩值） 活化方式 最大加压 腔体真空 典型用途

MWB-04/06-R 100/150 mm 半自动 ±2 μm 离子枪 20 kN <1e-5 Pa 研发 / 小试 / 中试

MWB-04/06/08-AX 100/150/200 mm 全自动 / 半自动 ±2 μm 离子枪 / FAB 枪 更高载荷（如 100 kN） <1e-5 Pa 中量产、多品种

MWB12ST（MWB-12-ST） 200/300 mm 全自动 / 半自动 ±2 μm 氩快原子束 200 kN（金属键合友好） <1e-5 Pa 3D 堆叠量产、大尺寸

核心优势与工艺特点 

常温键合：无热循环，热应力 / 热翘曲极小，适配薄晶圆与微纳结构，良率稳定。

高对齐与高真空：±2 μm 实绩对齐（IR 透反成像），腔体真空 <1e-5 Pa，减少气泡与污染，提升键合强度与可靠性。

多活化方案：离子枪 / FAB 枪可选，适配 Si/SiO₂、金属（Cu/Au）、化合物半导体等多种材料体系，工艺窗口宽。

高载荷与自动化：200 kN 高载荷适合金属键合；AX/ST 系列支持全自动上下片与多组批处理，节拍稳定，适合量产。

兼容性强：ST 系列兼容 200/300 mm，可与 EFEM/Load Port / 清洗机联动，集成灵活。

典型应用场景 

3D IC 堆叠：TSV 互联、多层晶圆键合，常温避免热损伤与翘曲。

CMOS 图像传感器：背照式 / 堆叠式封装，高对齐精度保障像素与电路对位。

异质集成：Si 与化合物半导体（GaN/InP）、玻璃与 Si 键合，拓展器件功能。

薄晶圆 / 超薄晶圆键合：低应力搬运与键合，降低破片率。

金属键合：Cu-Cu 低温直接键合，适合高性能互联。

选型与集成要点 

晶圆尺寸与产能：100/150 mm 选 R 系列；200 mm 选 AX 系列；200/300 mm 量产选 ST 系列；全自动 / 多组批处理优先 AX/ST。

材料与活化方式：Si/SiO₂ 可选离子枪；金属键合 / 高洁净需求选 FAB 枪 / 氩快原子束；高载荷金属键合选 200 kN 机型。

对齐与检测：IR 透反成像对位，搭配键合强度测试、超声扫描（C-SAM）与显微镜复检，建立良率监控闭环。

环境与公用工程：Class 1 洁净室，稳定真空、Ar/N₂ 气源、冷却水与 UPS，避免粉尘与气压波动影响键合质量。

安全与合规：落实真空联锁、急停、气体泄漏检测与尾气处理，符合半导体工厂安全规范。

安装调试与维护建议 

安装：洁净室就位，固定地基，密封腔体与线缆穿孔；真空系统检漏，确认 Ar/N₂ 纯度与流量；冷却水与电气接线按手册施工，远离干扰源。

调试：先空载测试腔体抽真空速度、活化源功率与稳定性；再用标准晶圆标定对齐精度与片间距；最后进行键合参数（功率、时间、压力）DOE，确定最优工艺窗口，并记录节拍与良率。

维护：定期清洁腔体与对齐光学系统、检查活化源寿命与真空密封圈；更换滤芯与润滑脂；备份工艺配方与参数；建立故障码与异常处理台账，确保 24/7 稳定运行。